項目主要突破Mini LED外延材料和芯片制備工藝以及集成封裝關(guān)鍵技術(shù)難題,包括:高質(zhì)量 GaN 外延薄膜生長技術(shù)、高可靠性Mini LED倒裝芯片制備技術(shù)、高密度倒裝COB精確集成封裝技術(shù)以及Mini LED光色分混和光色校正等技術(shù),開發(fā)出具有超小尺寸、高亮度、高 ESD、及色度漂移小、響應(yīng)速度快等優(yōu)點的倒裝結(jié)構(gòu)Mini LED芯片,同時開發(fā)出采用共晶焊工藝的新型倒裝COB集成封裝工藝,制作出點距≤0.48mm高密度集成封裝Mini LED顯示樣機。
阿薩德1111245