超高壓碳化硅電力電子器件(SiCIGBT)產(chǎn)業(yè)化開發(fā)

        超高壓碳化硅電力電子器件(SiCIGBT)產(chǎn)業(yè)化開發(fā)

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        完全轉讓-0.00 元
        技術領域:
        應用領域:
        最后更新時間:2022-07-29 09:15
        所在地:
        吉林省 長春市 南關區(qū)
        所有者:
        飆飆
        聯(lián)系方式:
        13756056562
        項目以國家戰(zhàn)略需求為指引,以市場需求為導向,面向軌道交通等領域,開展超高壓碳化硅電力電子器件(SiC IGBT)產(chǎn)業(yè)化開發(fā)。通過對芯片設計、關鍵工藝等技術研究,開發(fā)出超高壓SiC IGBT芯片,實現(xiàn)我國第三代電力電子器件國產(chǎn)化,打破歐美發(fā)達國家在該領域的壟斷。
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